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Un nouveau modèle pour décrire l’incorporation d’azote dans le carbure de silicium

publié le

Des chercheurs du Laboratoire des multimatériaux et interfaces (CNRS / Université Claude Bernard Lyon 1) en collaboration avec le Laboratoire des matériaux et du génie physique (CNRS / Université Grenoble Alpes) ont proposé un modèle d’échange dynamique de surface pour expliquer l’incorporation de l’impureté azote dans le 4H-SiC durant la croissance épitaxiale de ce matériau. Ce modèle peut virtuellement être appliqué à l’incorporation dans SiC de n’importe quelle autre impureté que l’azote. Il pourrait même être étendu au dopage d’autres semi-conducteurs, tel que le silicium par exemple.

Ces résultats ont été publiés dans la revue Scientific Reports.

Pour en savoir plus : en direct des labos

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