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29/09/2017 : Soutenance de thèse de Selsabil SEJIL

publié le

Le 29 septembre aura lieu la soutenance de Selsabil Sejil : Optimisation de l’épitaxie VLS du semiconducteur 4H-SiC.
Réalisation de dopages localisés dans 4H-SiC par épitaxie VLS et application aux composants de puissance SiC

Elle aura lieu à 14h dans l’amphithéâtre Claude Chappe du Bâtiment « Télécoms - Claude Chappe » de l’INSA de Lyon